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半导体芯片制造工半导体制造技术章节练习(2017.12.31)
- 问答题
CVD淀积过程中两个主要的限制步骤是什么？它们分别在什么情况下会支配整个淀积速率？
答案：CVD过程包括两个部分：一、反应剂在边界层中的输运二、反应剂在衬底表面的化学反应存在两种极限情况：①hg>>ks，Cs趋... - 问答题
从寄生电阻和电容、电迁移两方面说明后道工艺中（Back-End-Of-Line，BEOL）采用铜（Cu）互连和低介电常数（low-k）材料的必要性。
答案：寄生电阻和寄生电容造成的延迟。电子在导电过程中会撞击导体中的离子，将动量转移给离子从而推动离子发生缓慢移动。该现象称为电... - 问答题
什么是离子注入中常发生的沟道效应（Channeling）和临界角？怎样避免沟道效应？
答案：沟道效应：对晶体靶进行离子注入，当离子速度方向平行于主晶轴时，将很少受到核碰撞，离子将沿沟道运动，注入深度很深。由于沟道... - 问答题
热蒸发法淀积薄膜的淀积速率与哪些因素有关？淀积速率的测量采用什么办法？
答案：简述其工作原理。淀积速率与蒸发材料温度腔体形状等因素有关。淀积速率通常用石英晶体速率指示仪测量。所用器件为一个谐振板，它... - 问答题
假设进行一次受固溶度限制的预淀积扩散，从掺杂玻璃源引入的杂质总剂量为Qcm-2。
答案：（1）如果这次预淀积进行了总共t分钟，若预淀积温度不变，引入3Qcm-2 - 问答题
写出菲克第一定律和第二定律的表达式，并解释其含义。
答案：费克第一定律：C杂质浓度；D扩散系数（单位为cm2/s）J材料净流量（单位时间内流过单位面积的原子个数）解释：如果在一个... - 问答题
MEMSSi加工工艺主要分为哪两类，它们最基本的区别是什么？
答案：Si工艺 体硅微机械加工工艺（Bulkmicromaching）——用晶圆自身材料来制作MEM... - 问答题
什么是溅射产额，其影响因素有哪些？简述这些因素对溅射产额产生的影响。
答案：溅射产额：影响因素：离子质量、离子能量、靶原子质量、靶的结晶性只有当入射离子的能量超过一定能量（溅射阈值）时，才能发生溅... - 问答题
什么是两步扩散工艺，其两步扩散的目的分别是什么？
答案： - 问答题
下图为硅外延生长速度对H2中SiCL4摩尔分量的函数曲线，试分析曲线走势，并给出其变化的原因。
答案：SiCL4浓度较小，SiCL4被氢还原析出硅原子的速度远小于被释放出来的硅原...