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参考答案:

Si工艺  体硅微机械加工工艺(Bulkmicromaching)——用晶圆自身材料来制作MEMS结构

优势:可用于制作大的深宽比、很厚的结构

表面微机械加工工艺(Surfacemicromachining)——与IC工艺兼容   牺牲层制作   阻挡层制作  牺牲层释放工艺

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问答题

分别画出单大马士革和双大马士革工艺流程图。

参考答案:

问答题

在铜互连中,为什么要用铜扩散阻挡层?阻挡层分成哪几种,分别起什么作用?

参考答案:1)铜在SiO2中极易扩散,造成对硅器件的沾污:增加SiO2的漏电流;增加结漏电流;降低了击穿电压。2)铜极容易氧化和被...

问答题

从寄生电阻和电容、电迁移两方面说明后道工艺中(Back-End-Of-Line,BEOL)采用铜(Cu)互连和低介电常数(low-k)材料的必要性。

参考答案:寄生电阻和寄生电容造成的延迟。电子在导电过程中会撞击导体中的离子,将动量转移给离子从而推动离子发生缓慢移动。该现象称为电...

问答题

画出侧墙转移工艺和self-aligned double patterning(SADP)的工艺流程图。

参考答案:

问答题

简述电子束光刻的光栅扫描方法和矢量扫描方法有何区别。

参考答案:在光栅扫描方法中,每一个像素必须被逐次扫描。这样,曝光时间几乎与图形无关,图形就是通过打开和关闭快门写出来的。而已经开发...

问答题

浸没式光刻机相对于传统的光刻机有何不同。

参考答案:根据瑞利判据:要提高分辨率,可以通过增大数值孔径NA来实现。传统曝光设备在镜头与硅片之间的介质是空气,空气的折射率是1;...

问答题

什么是光刻中常见的表面反射和驻波效应?如何解决?

参考答案:表面反射——穿过光刻胶的光会从晶圆片表面反射出来,从而改变投入光刻胶的光学能量。当晶圆片表面有高...

问答题

典型的光刻工艺主要有哪几步?简述各步骤的作用。

参考答案:涂胶→前烘→对准与曝光→曝光后烘烤→显影→坚膜→显影检查前烘...

问答题

个投影曝光系统采用ArF光源,数值孔径为0.6,设k1=0.6,n=0.5,计算其理论分辨率和焦深。

参考答案:

分辨率:
焦深:

问答题

在光刻中,能够在增加分辨率的同时增加聚焦深度吗?为什么?

参考答案:不能!聚焦深度:在保持图形聚焦的前提下,沿着光路方向晶圆片移动的距离是聚焦深度——,NA为数值孔...
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