问答题X 纠错
CVD过程包括两个部分:一、反应剂在边界层中的输运二、反应剂在衬底表面的化学反应
存在两种极限情况:①hg>>ks,Cs趋于Cg,淀积速率受表面化学反应速率控制。反应剂数量:主气流输运到硅片表面的﹥表面化学反应所需要的②hg<<ks,Cs趋于0,淀积速率受质量输运速率控制。反应剂数量:表面化学反应所需要的﹥主气流输运到硅片表面的①低温情况下,表面化学反应速率控制ks=k0e−EA/KT淀积速率随温度的升高而成指数增加。②高温情况下,质量输运控制由于反应速度的加快,输运到表面的反应剂数量低于该温度下表面化学反应所需要的数量,这时的淀积速率将转为由质量输运控制,基本不再随温度变化而变化。
你可能喜欢
问答题
问答题
下图是硅烷反应淀积多晶硅的过程,写出发生反应的方程式,并简述其中1~5各步的含义。
问答题
问答题
问答题
问答题
问答题
问答题