半导体集成电路章节练习(2020.06.09)

来源:考试资料网

问答题

参考答案:P阱光刻,光刻有源区,光刻多晶硅,P+区光刻,N+区光刻,光刻接触孔,光刻铝线

问答题

参考答案:PCM (Process control monitor) SPEC广义而言是指芯片制造过程中所有工艺量测项目的规格,狭...

问答题

参考答案:动态组合逻辑电路由输出信号与电源之间插入的时钟信号PMOS,NMOS逻辑网和逻辑网与地之间插入的时钟信号NMOS组成。当...

问答题

参考答案:指崩溃电压(击穿电压),在 Vg=Vs=0时,Vd所能承受的最大电压,当Vd大于此电压时,源、漏之间形成导电沟...

问答题

参考答案:① Check MES系统, 察看自己Lot情况② 处理in line...

问答题

参考答案:中测:封装前对完成加工的硅片上的所有芯片进行的探针测试和电学测试,已选择出可用的芯片。成测:对封装后的芯片进行的测试,已...

问答题

参考答案:

B:P型杂质,OED;
P:N型杂质,深结,OED;
AS:N型杂质,离子注入精确控制结深。

名词解释

参考答案:输出不确定区域(非静态区域)宽度,VW=VIHmin-VILmax。
赞题库

赞题库-搜题找答案

(已有500万+用户使用)


  • 历年真题

  • 章节练习

  • 每日一练

  • 高频考题

  • 错题收藏

  • 在线模考

  • 提分密卷

  • 模拟试题

无需下载 立即使用

版权所有©考试资料网(ppkao.com)All Rights Reserved