半导体集成电路章节练习(2020.06.09)

问答题
简述硅栅p阱CMOS的光刻步骤？
答案：P阱光刻，光刻有源区，光刻多晶硅，P+区光刻，N+区光刻，光刻接触孔，光刻铝线
问答题
什么是PCM SPEC？
答案：PCM (Process control monitor) SPEC广义而言是指芯片制造过程中所有工艺量测项目的规格,狭...
问答题
结合下面电路，说明动态组合逻辑电路的工作原理。
答案：动态组合逻辑电路由输出信号与电源之间插入的时钟信号PMOS,NMOS逻辑网和逻辑网与地之间插入的时钟信号NMOS组成。当...
问答题
什么是 device breakdown voltage？
答案：指崩溃电压（击穿电压），在 Vg=Vs=0时，Vd所能承受的最大电压，当Vd大于此电压时，源、漏之间形成导电沟...
问答题
PIE工程师每天来公司需要Check哪些项目（开门五件事）？
答案：① Check MES系统，察看自己Lot情况
② 处理in&ens...
问答题
什么是CMOS电路？简述CMOS反相器的工作原理及特点。
答案：
问答题
什么是中测？什么是成测？探针测试和芯片成品率的统计分别是在哪一次测试？
答案：中测：封装前对完成加工的硅片上的所有芯片进行的探针测试和电学测试，已选择出可用的芯片。
成测：对封装后的芯片进...
问答题
仔细观察下面RS触发器的版图，判断它是或非门实现还是与非门实现。
答案：
或非门
问答题
试说明硅工艺中常用掺杂杂质B，P，As的扩散特性。
答案：
B：P型杂质，OED；
P：N型杂质，深结，OED；
AS：N型杂质，离子注入精确控制结深。
名词解释
过渡区宽度
答案：输出不确定区域（非静态区域）宽度，VW=VIHmin-VILmax。