问答题

【简答题】简述硅栅p阱CMOS的光刻步骤？

答案： P阱光刻，光刻有源区，光刻多晶硅，P+区光刻，N+区光刻，光刻接触孔，光刻铝线

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【简答题】简单叙述一下pn结隔离的NPN晶体管的光刻步骤？

答案：第一次光刻：N+隐埋层扩散孔光刻
第二次光刻：P隔离扩散孔光刻
第三次光刻：P型基区扩散孔光刻

【简答题】在制作晶体管的时候，衬底材料电阻率的选取对器件有何影响？

答案：电阻率过大将增大集电极串联电阻，扩大饱和压降，若过小耐压低，结电容增大，且外延时下推大