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什么是CMOS电路？简述CMOS反相器的工作原理及特点。

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问答题

有一nMOS E /D反相器，若VTE=2V，VTD=-2V，KNE/KND=25，VDD=2V，求此反相器的高、低输出逻辑电平是多少？

参考答案：VOL=VTD2 KND/2 KNE(VDD - VTE) =0.02...
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问答题

耗尽型负载nMOS反相器相比于增强型负载nMOS反相器有哪些好处？

参考答案：耗尽型负载nMOS反相器的制造工艺更加复杂，但可以有陡峭的VTC过渡和更好的噪声容限，并且是单电源供电，整体的版图面积也...
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问答题

试比较将nMOS E /E反相器的负载管改为耗尽型nMOSFET后，传输特性有哪些改善？

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问答题

以饱和增强型负载反相器为例分析E/E反相器的工作原理及传输特性。

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问答题

增强型负载nMOS反相器有哪两种电路结构？简述其优缺点。

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问答题

采用MOSFET作为nMOS反相器的负载器件有哪些优点？

参考答案：采用负载电阻会占用大量的芯片面积，而晶体管占用的硅片面积通常比负载电阻小，并且有源负载反相器电路比无源负载反相器有更好的...
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问答题

设计一个VOL=0.6V的电阻负载反相器，增强型驱动晶体管VT0=1V， VDD=5V 
1）求VIL和VIH  
2）求噪声容限VNML和VNMH

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问答题

考虑一个电阻负载反相器电路：VDD=5V，KN`=20uA/V2 ，VT0=0.8V，RL=200KΩ，W/L=2。计算VTC曲线上的临界电压值（VOL、VOH、VIL、VIH）及电路的噪声容限，并评价该直流反相器的设计质量。

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问答题

考虑下面的反相器设计问题：给定VDD=5V，KN`=30uA/V2 ，VT0=1V 设计一个VOL=0.2V的电阻负载反相器电路，并确定满足VOL条件时的晶体管的宽长比（W/L）和负载电阻RL的阻值。

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问答题

给出E/R反相器的电路结构，分析其工作原理及传输特性，并计算VTC曲线上的临界电压值。

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