半导体物理章节练习(2020.05.19)

填空题
半导体硅的价带极大值位于空间第一布里渊区的中央，其导带极小值位于（）方向上距布里渊区边界约0.85倍处，因此属于（）半导体。
答案：[100]；间接带隙
名词解释
CE理论
答案：器件尺寸可以减小寄生电容和沟道长度，从而改善电路的性能和集成度。MOS器件尺寸缩小后，会引入一系列的端沟道和窄沟道效应。...
单项选择题
在晶体硅中掺入元素（）杂质后，能形成N型半导体。
A.锗
B.磷
C.硼
D.锡
问答题
电路如图且各元件数值已知：叙述Rb1，RE，CE在电路中的作用；若环境温度升高，叙述该电路静态工作点Q稳定的过程；要使静态工作点稳定，写出I1应满足的条件；求出IBQ的表达式；写出该放大器的电压放大系数表达式；写出输入电阻Ri的表达式；写出输出电阻R0的表达式。
答案：
问答题
现有三个半导体硅样品，已知室温下（300K）它们的空穴浓度分别为p01=2.25×1015/cm3，p02=1.5×1010/cm3，p03=2.25×104/cm3（1）分别计算这三个样品的电子浓度（2）判别这三个样品的导电类型（3）计算这三个样品的费米能级的位置
答案：
对这三块材料分别计算如下：

即P型半导体的费米能级在禁带中线下0.37eV处
判断题
施主杂质成为离子后是正离子。
答案：正确
问答题
平均自由程，平均自由时间，散射几率？
答案：平均自由程：电子在受到两次散射之间所走过的平均距离；
平均自由时间：电子在受到两次散射之间运动的平均时间；
单项选择题
如果对半导体进行重掺杂，会出现的现象是（）
A.禁带变宽
B.少子迁移率增大
C.多子浓度减小
D.简并化
问答题
画出p型半导体在光照（小注入）前后的能带图，标出原来的的费米能级和光照时的准费米能级。
答案：
问答题
简述采用有源负载的放大器的优点。
答案：⑴有源负载的交流阻抗r_AC很大，所以使每级放大器的电压增益A_V提高。因而可以...