A.禁带变宽
B.少子迁移率增大
C.多子浓度减小
D.简并化

A、（EC-EF.或（EF-EV）≤0
B、（EC-EF.或（EF-EV）≥0
C、能使用玻耳兹曼近似计算载流子浓度
D、导带底和价带顶能容纳多个状态相同的电子

A、【100】
B、【111】
C、【110】
D、【111】或【110】

A、n型
B、p型
C、本征型
D、高度补偿型

A、平衡载流子浓度成正比
B、非平衡载流子浓度成正比
C、平衡载流子浓度成反比
D、非平衡载流子浓度成反比

A.金属
B.本征半导体
C.掺杂半导体
D.高纯化合物半导体

A.单调上升
B.单调下降
C.经过一个极小值趋近Ei
D.经过一个极大值趋近Ei

A.不含施主杂质
B.不含受主杂质
C.不含任何杂质
D.处于绝对零度

A.不含杂质和缺陷
B.电阻率最高
C.电子密度和空穴密度相等
D.电子密度与本征载流子密度相等

A.Si
B.Ge
C.GaAs
D.GaN