单项选择题X 纠错

在晶体硅中掺入元素（）杂质后，能形成N型半导体。

A.锗
B.磷
C.硼
D.锡

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单项选择题

对于一定的n型半导体材料，温度一定时，减少掺杂浓度，将导致（）靠近Ei。

A.Ec
B.Ev
C.Eg
D.EF

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填空题

（）杂质可显著改变载流子浓度；（）杂质可显著改变非平衡载流子的寿命，是有效的复合中心。

参考答案：浅能级；深能级
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填空题

反向偏置pn结，当电压升高到某值时，反向电流急剧增加，这种现象称为pn结击穿，主要的击穿机理有两种：（）击穿和（）击穿。

参考答案：雪崩；隧道
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填空题

半导体中的载流子复合可以有很多途径，主要有两大类：（）的直接复合和通过禁带内的（）进行复合。

参考答案：电子和空穴；复合中心
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填空题

半导体载流子在输运过程中，会受到各种散射机构的散射，主要散射机构有（）、（）、中性杂质散射、位错散射、载流子间的散射和等价能谷间散射。

参考答案：电离杂质的散射；晶格振动的散射
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填空题

如果电子从价带顶跃迁到导带底时波矢k不发生变化，则具有这种能带结构的半导体称为（）禁带半导体，否则称为（）禁带半导体。

参考答案：直接；间接
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填空题

半导体的晶格结构式多种多样的，常见的Ge和Si材料，其原子均通过共价键四面体相互结合，属于（）结构；与Ge和Si晶格结构类似，两种不同元素形成的化合物半导体通过共价键四面体还可以形成（）和纤锌矿等两种晶格结构。

参考答案：金刚石；闪锌矿
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填空题

对于同一种半导体材料其电子浓度和空穴浓度的乘积与（）有关，而对于不同的半导体材料其浓度积在一定的温度下将取决于（）的大小。

参考答案：温度；禁带宽度
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填空题

通常把服从（）的电子系统称为非简并性系统，服从（）的电子系统称为简并性系统。

参考答案：玻尔兹曼分布；费米分布
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填空题

从能带角度来看，锗、硅属于（）半导体，而砷化稼属于（）半导体，后者有利于光子的吸收和发射。

参考答案：间接带隙；直接带隙
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