集成电路技术章节练习(2020.01.04)

问答题
采用版图匹配设计技术后可提高元器件的匹配性能，但会带来哪些不利因素？
答案：
增加芯片面积、布线比较困难、连线的寄生效应限制匹配精度
问答题
密勒效应的定义。
答案：一个在其两端大小相同相位相反的电压摆幅的电容可以用一个两倍于该电容值的接地电容代替。
问答题
什么是MOS器件的体效应？
答案：MOS工艺中，N管衬底接最低电位，P管衬底接最高电位；但它们的源极却未必与衬底电位相同，于是源衬存在电压差，这个电压差将...
填空题
P型半导体的多子是（），少子是（）。
答案：空穴；自由电子
问答题
按MOS沟道随栅压正向和负向增加而形成或消失的机理，存在着哪两种类型的MOS器件？
答案：
耗尽型：在VGS=0时导电沟道已经存在
增强型：当VGS正到一定程度才会导通
问答题
简述硅热氧化过程中有哪些阶段？
答案：第一阶段：反应速度决定氧化速度，主要因为氧分子、水分子充足，硅原子不足。
第二阶段：扩散速度决定氧化速度，主要...
问答题
摩尔定律得以保持的途径是什么？
答案：
特征尺寸不断缩小、增大芯片面积及单元结构的改进。
问答题
试用电导率为102/（Ω·cm），厚1μm的材料设计1kΩ的电阻，设电阻宽1μm，求其长。
答案：
问答题
简述掺氯氧化工艺。
答案：在氧化工艺中，通常在氧化系统中通入少量的HCl气体（浓度在3%以下）以改善SiO₂–S...
问答题
离子注入法有哪些优点？
答案：掺杂的过程可通过调整杂质剂量及能量来精确控制杂质分布，可进行小剂量和极小深度的掺杂较低的工艺温度，故光刻胶可用作掩膜可供...