p型衬底材料的MOS管，其半导体的掺杂浓度增大，阈值电压随之增大。

来源：考试资料网2022-07-14

“合金型晶体管”，“平面型晶体管”和“外延型晶体管”这三种晶体管中，目前生产最主要的一种是（）。

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MOS管的阈值电压与绝缘栅层的杂质浓度无关。

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MOS管阈值电压的单位是eV。

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N沟增强型MOS管衬底材料是N型掺杂半导体。

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