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MOS管的阈值电压与绝缘栅层的杂质浓度无关。
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栅极材料和半导体衬底材料的功函数差会影响MOS管的阈值电压。
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MOS型场效应晶体管的阈值电压与衬底材料的掺杂浓度是有关的。
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处于饱和工作区的n沟耗尽型MOS管,漏极将失去对沟道电流的控制能力。
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对
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对
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当p沟耗尽型MOS管处于饱和工作区时,漏极将失去对漏源电流的控制能力。
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P型衬底的MOS管的伏安特性曲线可以分为可调电阻区,饱和区和击穿区。
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