集成电路技术综合练习章节练习(2020.05.05)

源漏之间的距离、沟道宽度、开启电压、栅绝缘氧化层的厚度、栅绝缘层的介电常数、载流子的迁移率

发射结的注入、基区中的输运与复合和集电区的收集

衬底材料制备；埋层的形成；N型外延层的形成；隔离区的形成；晶体管基区的形成；晶体管发射区和引线孔的形成；金属化的形成。