对晶体靶进行离子注入时，当离子注入的方向与靶晶体的某个晶向平行时，其运动轨迹将不再是无规则的，而是将沿沟道运动并且很少受到原子核的碰撞，因此来自靶原子的阻止作用要小得多，而且沟道中的电子密度很低，受到的电子阻止也很小，这些离子的能量损失率就很低。在其他条件相同的情况下，很难控制注入离子的浓度分布，注入深度大于在无定形靶中的深度并使注入离子的分布产生一个很长的拖尾，注入纵向分布峰值与高斯分布不同，这种现象称为离子注入的沟道效应。

扩散源有气态、液态、固态三种有存在形式。

替位式扩散、填隙式扩散、填隙—替位式扩散

双光干涉法、比色法

表面缺陷、结构缺陷、氧化层中的电荷

温度、气体分压、硅晶向、掺杂

有干氧氧化、湿氧氧化、水汽氧化