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半导体芯片制造工半导体制造技术章节练习(2019.05.09)
问答题
分别画出单大马士革和双大马士革工艺流程图。
答案:
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问答题
杂质原子的扩散方式有哪几种?它们各自发生的条件是什么?从原子扩散的角度举例说明氧化增强扩散和氧化阻滞扩散的机理。
答案:
①交换式:两相邻原子由于有足够高的能量,互相交换位置。②空位式:由于有晶格空位,相邻原子能移动过来。③填隙式:在空隙中的...
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问答题
从寄生电阻和电容、电迁移两方面说明后道工艺中(Back-End-Of-Line,BEOL)采用铜(Cu)互连和低介电常数(low-k)材料的必要性。
答案:
寄生电阻和寄生电容造成的延迟。电子在导电过程中会撞击导体中的离子,将动量转移给离子从而推动离子发生缓慢移动。该现象称为电...
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问答题
简述硼和磷的退火特性。
答案:
硼退火特性电激活比例:自由载流子数p和注入剂量Ns的比对于低剂量的情况,随退火温度上升,电激活比例增大。对于高剂量情况,...
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问答题
什么是离子分布的偏斜度和峭度,和标准高斯分布有什么区别?
答案:
非对称性常用偏斜度γ(skewness)表示:γ为负值表明杂质分布在表面一侧的浓度增加,即x<R...
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问答题
在铜互连中,为什么要用铜扩散阻挡层?阻挡层分成哪几种,分别起什么作用?
答案:
1)铜在SiO
2
中极易扩散,造成对硅器件的沾污:增加SiO
2
的漏电流;增加结...
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问答题
在干法刻蚀的终点检测方法中,光学放射频谱分析法最常见,简述其工作原理和优缺点。
答案:
光学放射频谱分析是利用检测等离子体中某种波长的光线强度变化来达到终点检测的目的。光强的变化反映了等离子体中原子或分子浓度...
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问答题
说明SiO2的结构和性质,并简述结晶型SiO2和无定形SiO2的区别。
答案:
结晶形SiO
2
——由Si-O四面体在空间规则排列构成每个顶角的O原子与两个...
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问答题
简述几种典型真空泵的工作原理。
答案:
几种典型的真空泵结构:①活塞式机械泵;②旋片式机械泵;③增压器——罗茨泵;④油扩散泵;⑤涡轮分子...
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问答题
什么是离子注入中常发生的沟道效应(Channeling)和临界角?怎样避免沟道效应?
答案:
沟道效应:对晶体靶进行离子注入,当离子速度方向平行于主晶轴时,将很少受到核碰撞,离子将沿沟道运动,注入深度很深。由于沟道...
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