1）铜在SiO₂中极易扩散，造成对硅器件的沾污：增加SiO₂的漏电流；增加结漏电流；降低了击穿电压。
2）铜极容易氧化和被腐蚀；
3）铜与low-k间的粘附性很差。要实现铜互连必须找到一种扩散阻挡层，将铜约束在互连结构中，同时实现防止铜的氧化或腐蚀、改善与介质的粘附性。
金属扩散阻挡层——铜互连结构应该处处被扩散阻挡层包围，一部分为介质阻挡层，一部分为导电阻挡层。采用导电阻挡层的原因在于上下互连层之间要联通，不能采用不导电的介质做阻挡层。

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