集成电路工艺原理章节练习(2019.05.04)

来源：考试资料网

问答题

参考答案：对晶体进行离子注入时，当离子注入的方向与与晶体的某个晶向平行时，一些离子将沿沟道运动，受到的核阻止作用很小，而且沟道中的...

问答题

参考答案：裁板、内层前处理、压膜、曝光、DES连线、CCD冲孔、AOI检验、VRS确认、棕化、铆钉、叠板、压合、后处理、上PIN、...

判断题

参考答案：错

名词解释

参考答案： 所有入射离子的投影射程的平均值。

名词解释

参考答案：如果将注有离子的硅片在一定温度下，经过适当时间的热处理，则硅片中的损伤就会得到大部分消除，少数载流子的寿命以及迁移率也会...

判断题

参考答案：错

填空题

参考答案：正性光刻；负性光刻胶；正性光刻胶

名词解释

参考答案： 所有图形上淀积的薄膜厚度相同；也称共性覆盖。

问答题

参考答案：通常采用粘接技术实现管芯与底座的连接的材料。要求机械强度、化学性能稳定、导电、导热、热匹配、低固化温度、可操作性。主要的...

填空题

参考答案：被刻蚀图形的侧壁形状；各向同性；各向异性

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