填空题X 纠错

光刻包括两种基本的工艺类型：负性光刻和（），两者的主要区别是所用光刻胶的种类不同，前者是（），后者是（）。

参考答案：正性光刻；负性光刻胶；正性光刻胶
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填空题

CMP是一种表面（）的技术，它通过硅片和一个抛光头之间的相对运动来平坦化硅片表面，在硅片和抛光头之间有（），并同时施加（）。

参考答案：全局平坦化；磨料；压力
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填空题

硅片平坦化的四种类型分别是（）、部分平坦化、（）和（）。

参考答案：平滑；局部平坦化；全局平坦化
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填空题

终点检测是指（）的一种检测到平坦化工艺把材料磨到一个正确厚度的能力。两种最常用的原位终点检测技术是（）和（）。

参考答案：CMP设备；电机电流终点检测；光学终点检测
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填空题

写出三种半导体制造业的金属和合金（）、（）和（）。

参考答案：Al；Cu；铝铜合金
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填空题

在半导体制造业中，最早的互连金属是（），在硅片制造业中最普通的互连金属是（），即将取代它的金属材料是（）。

参考答案：铝；铝；铜
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填空题

对芯片互连的金属和金属合金来说，它所必备一些要求是（）、高黏附性、（）、（）、可靠性、抗腐蚀性、应力等。

参考答案：导电率；淀积；平坦化
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填空题

如果淀积的膜在台阶上过度地变薄，就容易导致高的（）、（）或者在器件中产生不希望的（）。

参考答案：膜应力；电短路；诱生电荷
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填空题

在外延工艺中，如果膜和衬底材料（），例如硅衬底上长硅膜，这样的膜生长称为（）；反之，膜和衬底材料不一致的情况，例如硅衬底上长氧化铝，则称为（）。

参考答案：相同；同质外延；异质外延
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填空题

缩略语PECVD、LPCVD、HDPCVD和APCVD的中文名称分别是（）、（）、高密度等离子体化学气相淀积和（）。

参考答案：等离子体增强化学气相淀积；低压化学气相淀积；常压化学气相淀积
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填空题

淀积膜的过程有三个不同的阶段。第一步是（），第二步是（），第三步是（）。

参考答案：晶核形成；聚焦成束；汇聚成膜
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