半导体材料章节练习(2019.04.25)

正偏pn结内由于少子的存储效应而形成的电容。

当pn结二极管由正偏变为反偏时，空间电荷区边缘的过剩少子浓度由稳态值变成零所用的时间。

由于吸收光子而在半导体器件中产生过剩载流子，从而形成的电流。