正偏pn结内由于少子的存储效应而形成的电容。
A、C B、F C、S D、T
当pn结二极管由正偏变为反偏时,空间电荷区边缘的过剩少子浓度由稳态值变成零所用的时间。
由于吸收光子而在半导体器件中产生过剩载流子,从而形成的电流。
A.制备方法简单 B.工艺成本低 C.制备温度高 D.可大面积制备