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无机化学无机固体化学章节练习(2019.01.14)
问答题
下列少量杂质对AgCl晶体的导电率有什么影响?简述理由。 (1)AgBr (2)ZnCl2(3)Ag2O
答案:
(1)基本无影响(或略有增大);
(2)降低;
(3)增大;
因为AgCl的导电是通过间隙...
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问答题
TiO为NaCl型结构,每个晶胞中有4个TiO化学式单元,X射线衍射数据表明Ti和O的比例为1:1,立方晶胞的边长为418pm,测量体积和质量得到的密度是4.92g·cm-3。这些数据能否表明晶体内部有缺陷存在?如果有的话,请进一步指出它们属空位缺陷还是间隙缺陷(已知1个TiO化学单元质量为63.88u,1u= 1.66×10-24g?
答案:
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问答题
比较锗在下列各种掺杂情况下的电导率的大小。(1)掺0.1mg/kg的As(2)掺0.1mg/kg的As和0.05mg/kg的Al(3)掺0.1mg/kg的As和0.1mg/kg的Al(4)掺1mg/kg的Al
答案:
(3)<(2)<(1)<(4)
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问答题
从负离子的立方密堆积出发,(1)正离子填满所有四面体位置;(2)正离子填满一半四面体位置,如T+位置;(3)正离子填满所有的八面体位置;(4)正离子填满八面体位置的交替层。说明四种情况的结构类型。
答案:
(1)T
+
、T
-
占据,O空,反萤石结构(Na
2
O);<...
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问答题
下列哪些晶体会显示出压电性?为什么?NaCl,CaF2,CsCl,ZnS(纤锌矿),NiAs,TiO2(金红石)
答案:
ZnS和NiAs可能有压电性,因为其晶体结构中无对称中心。而CaF
2
、NaCl、CsCl和TiO<...
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问答题
氯化钠晶体中生成一对肖特基缺陷需要的能量是2eV,而从玻尔-哈伯循环求得的晶格能为8eV。这两个能量值有很大差别,原因是什么?
答案:
NaCl晶体中肖特基缺陷的生成能是指激发1molNaCl到晶体表面,在内部形成1mol成对的Na
+
...
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问答题
氧化铁FexO中[Fe3+]/[Fe2+]=0.1,试计算氧化铁晶体中的x值。
答案:
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填空题
砷化镓是一种有用的半导体。将Se掺入(在As的位置上)属于()型半导体。
答案:
n
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填空题
实验测得在1300℃时氧化镍的电导率随平衡氧气压力而变化的关系是σ=常数·pO21/6。试根据这一实验结果推断氧化镍是()型半导体。
答案:
p
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填空题
TiOn2在氢气中加热时显蓝色,表明红光被吸收。Ti(IV)还原为Ti(III)相当于()型掺杂。
答案:
n
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