问答题X 纠错

氯化钠晶体中生成一对肖特基缺陷需要的能量是2eV，而从玻尔－哈伯循环求得的晶格能为8eV。这两个能量值有很大差别，原因是什么？

参考答案：

NaCl晶体中肖特基缺陷的生成能是指激发1molNaCl到晶体表面，在内部形成1mol成对的Na+空位VNa’和Cl-空位VCl所需的能量。而晶格能是指把1molNaCl晶体变为气态的Na+（g）和Cl-（g）所需的能量。因此晶格能要比肖特基缺陷的生成能大得多。

进入题库练习
查答案就用赞题库小程序 还有拍照搜题 语音搜题 快来试试吧
无需下载 立即使用

你可能喜欢

填空题

实验测得在1300℃时氧化镍的电导率随平衡氧气压力而变化的关系是σ=常数·pO21/6。试根据这一实验结果推断氧化镍是（）型半导体。

参考答案：p
点击查看答案进入题库练习

填空题

ZnO加热，表面上发生热分解反应，生成的Zn向晶体内部扩散，生成非整比化合物Zn1+xO，这是（）型半导体。NiO在氧气中反应，晶体变为阴离子过量的NiO1+x，这是（）型半导体。

参考答案：n；p
点击查看答案进入题库练习

问答题

比较锗在下列各种掺杂情况下的电导率的大小。
（1）掺0.1mg/kg的As
（2）掺0.1mg/kg的As和0.05mg/kg的Al
（3）掺0.1mg/kg的As和0.1mg/kg的Al
（4）掺1mg/kg的Al

参考答案：（3）<（2）<（1）<（4）
点击查看答案进入题库练习

问答题

什么是填隙缺陷？什么是空位缺陷？什么是置换缺陷？

参考答案：填隙缺陷是在晶体的晶格空隙中本不应该有原子占据的空隙中无规则地填隙了多余的原子所造成的缺陷，这些多余的原子可能是组成晶体...
点击查看答案进入题库练习

问答题

判断下列物质是否可能为n型或p型半导体：
（1）掺As的Ge
（2）掺Ga的Ge

参考答案：

（1）n
（2）p

点击查看答案进入题库练习

填空题

砷化镓是一种有用的半导体。将Se掺入（在As的位置上）属于（）型半导体。

参考答案：n
点击查看答案进入题库练习

填空题

TiOn2在氢气中加热时显蓝色，表明红光被吸收。Ti（IV）还原为Ti（III）相当于（）型掺杂。

参考答案：n
点击查看答案进入题库练习

填空题

让10-3mol电子通过温度为165℃，在两个Ag电极之间夹一片AgI（AgI是Ag+离子导体），两电极之间施加的电压为0.1V的电解池，阴极、阳极和AgI的质量定量变化（Ag的原子量108）为（）。 

参考答案：正电极质量减少108mg，AgI不变，负电极质量增加108mg。
点击查看答案进入题库练习

问答题

MnCr2O4可能采取正常尖晶石结构和反尖晶石结构中的哪一种？为什么？

参考答案：应采取正常尖晶石结构。这是因为八面体位置上的d3Cr3+离子具有配位场稳定化能，而采取高自旋的d5Mn2+离子则否（氧为...
点击查看答案进入题库练习

问答题

TiO为NaCl型结构，每个晶胞中有4个TiO化学式单元，X射线衍射数据表明Ti和O的比例为1：1，立方晶胞的边长为418pm，测量体积和质量得到的密度是4.92g·cm-3。这些数据能否表明晶体内部有缺陷存在？如果有的话，请进一步指出它们属空位缺陷还是间隙缺陷（已知1个TiO化学单元质量为63.88u，1u= 1.66×10-24g？

参考答案：

点击查看答案进入题库练习
赞题库

赞题库-搜题找答案

（已有500万+用户使用）


  • 历年真题

  • 章节练习

  • 每日一练

  • 高频考题

  • 错题收藏

  • 在线模考

  • 提分密卷

  • 模拟试题

无需下载 立即使用
手机版 电脑版

版权所有©考试资料网(ppkao.com)All Rights Reserved