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半导体芯片制造工半导体制造技术章节练习(2018.01.20)
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说明影响氧化速率的因素。
答案：1）氧化剂分压因为平衡情况下，SiO2中氧化剂的浓度C0=HPg，而抛物型速率常数B=2D - 问答题
简述BOE（或BHF）刻蚀SiO2的原理。
答案：二氧化硅腐蚀最常见的湿法腐蚀工艺之一是在稀释的HF溶剂中进行的SiO2湿法腐蚀法。常用腐蚀液配比是... - 问答题
杂质原子的扩散方式有哪几种？它们各自发生的条件是什么？从原子扩散的角度举例说明氧化增强扩散和氧化阻滞扩散的机理。
答案：①交换式：两相邻原子由于有足够高的能量，互相交换位置。②空位式：由于有晶格空位，相邻原子能移动过来。③填隙式：在空隙中的... - 问答题
MEMSSi加工工艺主要分为哪两类，它们最基本的区别是什么？
答案：Si工艺 体硅微机械加工工艺（Bulkmicromaching）——用晶圆自身材料来制作MEM... - 问答题
下图为硅外延生长速度对H2中SiCL4摩尔分量的函数曲线，试分析曲线走势，并给出其变化的原因。
答案：SiCL4浓度较小，SiCL4被氢还原析出硅原子的速度远小于被释放出来的硅原... - 问答题
对于某种薄膜的CVD过程，淀积温度为900℃，质量传输系数hG=10cms-1，表面反应速率系数ks=1×107exp（-1.9eV/kT）cms-1。现有以下两种淀积系统可供选择（1）冷壁，石墨支座型；（2）热壁，堆放硅片型。应该选用哪种类型的淀积系统并简述理由。
答案：反应室类型热壁：反应室腔壁与硅片及支撑件同时加热。一般为电阻丝加热，可精确控制反应腔温度和均匀性。适合对温度控制要求苛刻... - 问答题
从寄生电阻和电容、电迁移两方面说明后道工艺中（Back-End-Of-Line，BEOL）采用铜（Cu）互连和低介电常数（low-k）材料的必要性。
答案：寄生电阻和寄生电容造成的延迟。电子在导电过程中会撞击导体中的离子，将动量转移给离子从而推动离子发生缓慢移动。该现象称为电... - 问答题
说明SiO2的结构和性质，并简述结晶型SiO2和无定形SiO2的区别。
答案：结晶形SiO2——由Si-O四面体在空间规则排列构成每个顶角的O原子与两个... - 问答题
什么是扩散效应？什么是自掺杂效应？这两个效应使得衬底/外延界面杂质分布有怎样的变化？
答案：扩散效应是指衬底中的杂质与外延层中的杂质，在外延生长时互相扩散，引起衬底与外延层界面附近杂质浓度的缓慢变化。扩散效应对界... - 问答题
以P2O2为例说明SiO2的掩蔽过程。
答案：以P2O2杂质源为例来说明SiO2的掩蔽过程：当P