半导体芯片制造工章节练习(2018.01.21)

问答题
说明影响氧化速率的因素。
答案：1）氧化剂分压因为平衡情况下，SiO₂中氧化剂的浓度C0=HPg，而抛物型速率常数B=2D
问答题
什么是固相外延（SPE）及固相外延中存在的问题？
答案：固相外延是指半导体单晶上的非晶层在低于该材料的熔点或共晶点温度下外延再结晶的过程。固相外延存在问题—&mda...
问答题
简述在芯片制造中对金属电极材料有什么要求？
答案：1、能很好的阻挡材料扩散；
2、高电导率，低欧姆接触电阻；
3、在半导体和金属之间有很好的附着能力；...
单项选择题
人们规定：（）电压为安全电压.
A.36伏以下
B.50伏以下
C.24伏以下
填空题
热分解化学气相淀积二氧化硅是利用（）化合物，经过热分解反应，在基片表面淀积二氧化硅。
答案：含有硅的化合物
判断题
丝网印刷膜的厚度不随着刮板移动速度的增加而减小。（）
答案：错误
单项选择题
说明构成每个单元所需的基本门和基本单元的集成电路设计过程叫（）：
A、逻辑设计
B、物理设计
C、电路设计
D、系统设计
多项选择题
下列材料属于N型半导体是（）。
A.硅中掺有元素杂质磷（P）、砷（As）
B.硅中掺有元素杂质硼B.、铝（Al）
C.砷化镓掺有元素杂质硅（Si）、碲（TE）
D.砷化镓中掺元素杂质锌、镉、镁
问答题
下图为一个典型的离子注入系统。（1）给出1~6数字标识部分的名称，简述其作用。（2）阐述部件2的工作原理。
答案：1.离子源2.分析磁块3.加速器4.中性束闸5.x&y扫描板6.法拉第杯
1.离子源作用：产生注入用的离子原理...
填空题
半导体集成电路生产中，元件之间隔离有（）（）（）隔离等三种基本方法.
答案：Pn结介质；Pn结隔离；Pn结介质混合