半导体芯片制造工半导体芯片制造高级工章节练习(2017.12.28)

单项选择题
pn结的击穿电压和反向漏电流既是晶体管的重要直流参数，也是评价（）的重要标志。
A.扩散层质量
B.设计
C.光刻
单项选择题
变容二极管的电容量随（）变化。
A.正偏电流
B.反偏电压
C.结温
单项选择题
金属封装主要采用金属和玻璃密封工艺，金属作封装底盘、管帽和引线，（）做绝缘和密封。
A.塑料
B.玻璃
C.金属
问答题
有哪几种常用的化学气相淀积薄膜的方法？
答案：
常压化学气相淀积（APCVD.，
低压化学气相淀积（LPCVD.，
等离子体辅助CVD。
填空题
钎焊密封工艺主要工艺条件有钎焊气氛控制、温度控制和密封腔体内（）控制。
答案：湿度
单项选择题
恒定表面源扩散的杂质分布在数学上称为（）分布。
A.高斯
B.余误差
C.指数
单项选择题
双极晶体管的高频参数是（）。
A.hFEVces
B.BVce
C.ftfm
单项选择题
器件的横向尺寸控制几乎全由（）来实现。
A.掩膜版
B.扩散
C.光刻
问答题
简述光刻工艺原理及在芯片制造中的重要性？
答案：1.光刻是通过一系列生产步骤将晶圆表面薄膜的特定部分除去并得到所需图形的工艺。
2.光刻的重要性是在二氧化硅或...
单项选择题
禁带宽度的大小决定着电子从价带跳到导带的难易，一般半导体材料的禁带宽度越宽，所制作的半导体器件中的载流子（）外界因素（如高温和辐射等）的干扰而产生变化。
A.越不容易受
B.越容易受
C.基本不受