光刻胶显影是指用化学显影液溶解由曝光造成的光刻胶的可溶解区域,其主要目的是把掩膜版图形准确复制到光刻胶中。
热平衡状态下pn结内p区与n区的静电电势差。
反型电荷密度小于掺杂浓度时的情形。
1从晶体外观判断 2根据单晶棱线的位置 3依据解理面或碎裂面 4根据腐蚀坑的形态确定