反型电荷密度小于掺杂浓度时的情形。

漏电流的改变量与其对应的栅压改变量之比。

达到阈值反型点所需的栅压。

反型电荷密度大于掺杂浓度时的情形。

当栅压接近或等于阈值电压时空间电荷宽度的微弱改变，并且反型层电荷密度等于掺杂浓度时的情形。

金属功函数和电子亲合能之差的函数，用φms表示。

阈值反型时氧化层下面的空间电荷区宽度。

反型层中载流子的迁移率。

氧化层下面产生的电荷，它们与半导体掺杂的类型是相反的。