半导体芯片制造工半导体制造技术章节练习(2017.06.02)

问答题
热退火用于消除离子注入造成的损伤，温度要低于杂质热扩散的温度，然而，杂质纵向分布仍会出现高斯展宽与拖尾现象，解释其原因。
答案：离子注入后会对晶格造成简单晶格损伤和非晶层形成；损伤晶体空位密度大于非损伤晶体，且存在大量间隙原子和其他缺陷，使扩散系数...
问答题
什么是固相外延（SPE）及固相外延中存在的问题？
答案：固相外延是指半导体单晶上的非晶层在低于该材料的熔点或共晶点温度下外延再结晶的过程。固相外延存在问题—&mda...
问答题
在铜互连中，为什么要用铜扩散阻挡层？阻挡层分成哪几种，分别起什么作用？
答案：1）铜在SiO₂中极易扩散，造成对硅器件的沾污：增加SiO₂的漏电流；增加结...
问答题
什么是溅射产额，其影响因素有哪些？简述这些因素对溅射产额产生的影响。
答案：溅射产额：影响因素：离子质量、离子能量、靶原子质量、靶的结晶性只有当入射离子的能量超过一定能量（溅射阈值）时，才能发生溅...
问答题
说明影响氧化速率的因素。
答案：1）氧化剂分压因为平衡情况下，SiO₂中氧化剂的浓度C0=HPg，而抛物型速率常数B=2D
问答题
什么是离子分布的偏斜度和峭度，和标准高斯分布有什么区别？
答案：非对称性常用偏斜度γ（skewness）表示：γ为负值表明杂质分布在表面一侧的浓度增加，即x＜R...
问答题
简述RTP在集成电路制造中的常见应用。
答案：1）杂质的快速热激活RTP工艺最具吸引力的的热点之一是晶圆片不用达到热平衡状态，意味着电活性的有效掺杂实际上可以超过固溶...
问答题
射频放电与直流放电相比有何优点？
答案：直流放电中，电荷在表面的积聚会使电场减小，直到等离子体消失。在射频电场中，因为电场周期性地改变方向，带电粒子不容易到达电...
问答题
下图为硅外延生长速度对H2中SiCL4摩尔分量的函数曲线，试分析曲线走势，并给出其变化的原因。
答案：SiCL₄浓度较小，SiCL₄被氢还原析出硅原子的速度远小于被释放出来的硅原...
问答题
简述常规热氧化办法制备SiO2介质薄膜的动力学过程，并说明在什么情况下氧化过程由反应控制或扩散控制。
答案：迪尔-格罗夫氧化模型可以很好地预测氧化层厚度，热氧化过程主要分为以下三个过程：（1）氧化剂从气体内部以扩散形式穿过滞留层...