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A.L是器件的沟道长度,W是器件的宽度
B.tox是器件栅氧化层的厚度,由工艺决定
C.一般所说的90nm工艺,其中的90nm是指器件的最小沟道长度L
D.一般所说的90nm工艺,其中的90nm是指器件的栅氧化层的厚度tox

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