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单项选择题

LPCVD-SiO2,将工艺控制在较高温度,有:ks>>hg,此时淀积速率的特点为:

A、温度的较小变化都会对淀积速率有较大影响;
B、淀积速率受气相质量输运控制;
C、淀积速率受表面化学反应控制;
D、反应剂气体浓度的变化对淀积速率的影响不大。
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