填空题X 纠错

扩散分布的主要测量方法有：（）。

参考答案：四探针测电阻率、扩展电阻测载流子分布、霍尔效应测电阻率、染色法测结深、二次离子质谱测杂质分布、卢瑟福背散射测重杂质分布
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填空题

扩散的目的是为了实现对半导体掺杂，杂质扩散的深度与（）有关，服从（）。杂质扩散通常分为等表面浓度扩散，也（），和固定杂质总量扩散，也称（）。预淀积的分布是（）函数，再分布扩散的杂质呈（）函数分布。

参考答案：杂质浓度梯度、扩散温度、扩散时间；费克定律；预淀积；再分布扩散；余误差；高斯
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填空题

半导体的中，（）称为费米能级；对本征半导体，费米能级位于（），表示（）。费米能级靠近导带，表示（），是（）型半导体；费米能级靠近价带，表示（），是（）型半导体。

参考答案：被电子占有的几率为1/2的能级；禁带中央；电子和空穴数相等；电子数多于空穴数；N；空穴数多于电子数；P
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问答题

画出N型半导体的能带图和P型半导体的能带图。

参考答案：

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填空题

（）和（）是半导体的主要载流子，N型半导体中（）浓度高于（）浓度，而 P型半导体中（）浓度高于 电子浓度，（）半导体中的两种载流子浓度相等。

参考答案：电子；空穴；电子；空穴；空穴；本证
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填空题

半导体晶体的晶胞具有（）对称性， Si、Ge 、GaAs 晶体为（）结构。用（）h，k，l 表示晶胞晶面的方向。

参考答案：立方；金刚石；密勒指数
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填空题

半导体材料的缺陷主要有（）

参考答案：点缺陷、位错、层错、孪晶
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填空题

集成电路用单晶硅的主要制备方法是（）

参考答案：提拉法和区熔法
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填空题

摩尔定律的主要内容是（）。

参考答案：晶体管特征尺寸每三年减小到约70%，30年内有效，也可表示为集成电路的特征尺寸每三年缩小30%；集成度每三年翻二翻，集成...
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填空题

（）和（）是半导体器件的最常用掺杂方法。（）、（）是Si常用的施主杂质；（）是Si常用的受主杂质；（）是GaAs常用的P型掺杂剂；（）是GaAs常用的N型掺杂剂。

参考答案：热扩散；离子注入；P；As；B；Zn；Si
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问答题

画出P型（100）、（111）和N型（100）、（111）单晶抛光硅片的外形判别示意图。

参考答案：

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