单项选择题X 纠错

A.测量开始的时间
B.探测器本征探测效率
C.环境本底的计数率
D.源与探测器几何位置关系

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单项选择题

A.相对法需要一个已知活度的源作参照
B.使用相对法测量更加简便,所以是活度测量的基本方法
C.绝对法复杂一些,要结合各种实际的情况因素进行考虑
D.为保证结果的精确性,使用绝对法测量时可以多次测量进行分析

单项选择题

A.源的活度和能量是常见的辐射探测目标
B.测量源的位置与远近距离可以用在辐射成像等领域上
C.暂时无法通过测量的信息分析入射粒子的种类
D.可以测量粒子的飞行时间

单项选择题

A.HPGe和Ge(Li)用于组成γ谱仪,Ge较高的密度和原子序数有利于γ射线探测
B.Si(Li)探测器可以作低能量的γ射线和X射线测量
C.Si(Li)探测器可以作β粒子或其他外部入射的电子的探测,因为它原子序数低,反散射小
D.Si(Li)探测器也适合测量高能γ射线

单项选择题

A.电流脉冲宽度约为μs量级
B.反符合技术有助于提高探测器峰康比
C.85立方厘米的高纯锗探测器的相对探测效率约为19%
D.能量线性很好

单项选择题

A.不同原因造成的能量展宽需要平方求和在开方,求总体效应
B.载流子统计涨落、漏电流和噪声均会造成探测器能量分辨率变差
C.不同原因造成的能量展宽可以直接相加求总体效应
D.载流子由于陷阱效应带来的涨落可以通过适当提高偏置电压减小

单项选择题

A.平面型探测器,吸收位置不同但是输出信号基本相同
B.信号脉冲上升时间与入射带电粒子产生电子-空穴对的位置有关
C.同轴型探测器,吸收位置不同但是输出信号基本相同
D.输出电压脉冲信号是前沿不变的

单项选择题

A.平面型体积较大
B.同轴型体积较小
C.两者都不需要考虑空间电荷问题
D.对不同的结构形式,灵敏体积内的电场分布不同

单项选择题

A.它需要在低温下工作
B.它需要在低温下保存
C.工作时一般不能达到全耗尽状态
D.不属于PN结型探测器

单项选择题

A.高纯锗探测器是由Ge单晶制成
B.杂质浓度约为105个原子/cm3
C.因为纯度高,所以可以有很大的结区,即敏感体积
D.耗尽层内的电场强度不是一致的

单项选择题

A.锂漂移探测器不可以用来测量入射粒子的能量
B.Ge(Li)探测器须保存在低温下
C.Si(Li)探测器可在常温下保存
D.锂漂移探测器能量分辨率高于NaI探测器

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