A.实现N阱和P阱独立控制
B.更平坦的表面
C.做在阱区内的器件可以减少受到α粒子辐射的影响
D.抑制闩锁效应

A.氮化硅
B.二氧化硅
C.多晶硅
D.单晶硅

A.外延隔离
B.埋层隔离
C.PN结隔离
D.介质隔离

A.多晶硅
B.金属铝
C.金属铜
D.铝硅铜合金

A.反刻
B.CMP
C.SOG
D.高温回流

A.氧化
B.扩散
C.光刻
D.刻蚀

A.沟道效应
B.鸟嘴效应
C.寄生效用
D.闩锁效应

A.接触式
B.接近式
C.投影式
D.步进式

A.氧化
B.快速热处理
C.退火
D.扩散