单项选择题X 纠错
对放大电路进行动态分析的主要任务是（）
A.A B.B C.C
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问答题
电路如图题所示，电源vs为正弦波电压，试绘出负载RL两端的电压波形。设二极管是理想的。
单项选择题
单管放大电路如左图所示，其交直流负载的正确画法是右图中的（）
某固定偏置单管放大电路的静态工作点Q如图所示，欲使工作点移至Q’需使（）
A.偏置电阻RB增大 B.集电极电阻RC减小 C.偏置电阻RB减小
电路如图所示，若晶体管的发射结被烧坏而形成开路，那么集电极电位UC应等于（）
A.6V B.0V C.0.6V D.5.3V
图示电路，已知晶体管忽略UBE，如要将集电极电流IC调整到1.5mA.，RB应取（）
A.480KΩ B.120KΩ C.240KΩ D.360KΩ
放大电路如图所示，由于RB1，和RB2阻值选取得不合适而产生了饱和失真，为了改善失真，正确的做法是（）
A.A B.B C.C D.D
如图示放大电路中接线有错误的元件是（）
A.RL B.RB C.C1 D.C2
已知某场效应管的漏极特性曲线如图所示，则在UDS=10V，UGS=0V处的跨导gm约为（）
A.1mA/V B.0.5mA/V C.-1mA/V D.-0.5mA/V
已知某场效应管的漏极特性曲线如图所示，则此管子的夹断电压约为（）
A.0V B.+2V C.-2V D.-1V
某场效应管的漏极特性曲线如图所示，则该场效应管为（）
A.P沟道耗尽型MOS管 B.N沟道增强型MOS管 C.P沟道增强型MOS管 D.N沟道耗尽型MOS管
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忽略UBE，如要将集电极电流IC调整到1.5mA.，RB应取（）
约为（）
