问答题X 纠错

在导出P－N结的I－V特性时，全部偏压都降在结空间电荷区。试说明这一假设的合理性。

参考答案：由于P型半导体中空穴多，而N型半导体中电子多。所以，在P－N结处电子由N区扩散到P区，而空穴则由P区扩散到N区。于是，P区一侧便带负电，而N区一侧则带正电，这样就在P区与N区的分界面两边形成了一定厚度的空间电荷区。在空间电荷区内，载流子一方面在自建场的作用下做漂移运动，另一方面又受热运动的影响而做扩散运动，当达到平衡状态时，这两种运动便趋于动态平衡。整个P－N结的特性都是由于空间电荷区内的载流子的两种相反的漂移运动和扩散运动引起的，当在P－N结两侧加上一个外加电压V的话，则是通过改变载流子的这两种运动的相互大小来影响P－N结的特性的。所以在导出P－N结的I－V特性时，假设全部偏压都降在结空间电荷区是比较合理的。
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