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N沟增强型MOS场效应晶体管的工作载流子是电子和部分空穴。
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MOS的输出特性曲线是漏源电压与漏源电流之间的关系曲线,当电压大于某一个数值时,电流才会随着电压的增加而逐渐增大。
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N沟耗尽型MOS的转移曲线中,电流随着电压绝对值的增加而增大。
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可以用半导体材料的费米势的大小来衡量其杂质掺杂浓度高低。
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功函数是真空能级与费米能级之间的波函数。
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集成电路中最基本又最核心的器件是金属-绝缘体-半导体型场效应晶体管,而最普遍又最常见的器件是PN结。
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当半导体的表面势略大于其费米势时,开始进入强反型状态。
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对
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一般的MOS管的输出特性曲线可以分为三个区,即可调电阻区、饱和工作区和击穿工作区。
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所谓MOS管的正向偏置是指门极、源极和漏极都处于正电位,而衬底位于零电位。
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MOS型场效应晶体管是一种三端、三种材料、异质结型、一种载流子工作的电压控制型器件。
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平带电压就是使材料达到理想平带状态所需要的外加电压,其大小与电子亲合力相等。
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