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单项选择题

A.PN 结加的正向电压够大时,多子的扩散比少子的漂移占优势
B.PN 结加反向电压时,少子的漂移比多子的扩散占优势
C.PN 结不外加电压时,少子的漂移与多子的扩散达到动态平衡
D.要给PN 结加正向电压,P 区一侧应接低电位,N 区一侧应接高电位

单项选择题

A.半导体的电阻介于导体与绝缘体之间
B.半导体可以制作成非常纯净的晶体
C.半导体可以通过掺杂工艺制成N 型半导体和P 型半导体
D.半导体具有热敏性、光敏性和特殊的掺杂特性

单项选择题

A.本征半导体
B.P 型半导体
C.N 型半导体

判断题

结电容是常量。

参考答案:

判断题

PN 结的单向导电性与外加电压频率无关。

参考答案:

判断题

漂移运动方向是从N 区到P 区。

参考答案:

判断题

在PN 结形成过程中,空穴的扩散运动方向是从P 区到N 区。

参考答案:

判断题

在PN 结中,P 区的电势比N 区高。

参考答案:

判断题

因电场作用所产生的运动称为扩散运动。

参考答案:

判断题

与多数载流子相比,少数载流子的浓度受温度影响大。

参考答案:
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