A.光刻胶
B.Si衬底
C.刻蚀气体中的碳和其它物质组成的化合物
D.刻蚀溶液

A.实现电激活
B.修复损伤
C.提高掺杂均匀性
D.加大损伤

A.四氯化硅氢还原法
B.三氯氢硅氢还原法
C.二氯氢硅烷法
D.硅烷热分解法

A.氧化
B.离子注入
C.光刻
D.抛光

A.能量
B.温度
C.剂量
D.质量

A.30~60分钟
B.10~20分钟
C.60~90分钟
D.100~120分钟

A.最低掺杂剂量
B.临界剂量
C.损伤剂量
D.掺杂剂量

A.Cu
B.P
C.Ag
D.Au

A.有效栅宽变窄
B.电流减少
C.电容增加
D.电阻增大

A.选择合适的掩蔽膜
B.在氧化前，将窗口处的硅腐蚀掉深度，再进行局部氧化
C.退火
D.高压氧化工艺

A.95度
B.90度
C.80度
D.75度