A.它需要在低温下工作
B.它需要在低温下保存
C.工作时一般不能达到全耗尽状态
D.不属于PN结型探测器

A.高纯锗探测器是由Ge单晶制成
B.杂质浓度约为10⁵个原子/cm³
C.因为纯度高，所以可以有很大的结区，即敏感体积
D.耗尽层内的电场强度不是一致的

A.锂漂移探测器不可以用来测量入射粒子的能量
B.Ge（Li）探测器须保存在低温下
C.Si（Li）探测器可在常温下保存
D.锂漂移探测器能量分辨率高于NaI探测器

A.I区存在空间电荷
B.I区为耗尽层，但是电阻率低于10⁶Ω
C.I区为主要的探测器敏感区域
D.因为空间电荷的存在，平面型结构I区内不是均匀电场

A.Li为施主杂质
B.锂离子是用于漂移成探测器的唯一可用离子
C.基体用N型半导体

A.电流型前置放大器
B.电压型前置放大器
C.电荷灵敏前置放大器
D.不需要使用前置放大器

A.结区的电场为均匀电场
B.耗尽区的宽度与掺杂浓度无关
C.结区电容与外加电压无关
D.外加电压增大，耗尽层的宽度增加

A.平均电离能比闪烁体探测器低
B.载流子数目服从泊松分布
C.电子迁移率与空穴迁移率相近
D.掺杂会大大降低半导体的电阻率

A.高的电阻率，短的载流子寿命
B.高的电阻率，长的载流子寿命
C.低的电阻率，长的载流子寿命
D.低的电阻率，短的载流子寿命

A.Li
B.B
C.P
D.Al

A.能量分辨率好
B.对γ射线的探测效率高
C.结构紧凑
D.不易受射线损伤