在晶圆表面产生特定数量的掺杂原子；
在晶圆表面下的特定位置处形成pn结；
在晶圆表面层形成特定的掺杂原子分布；
预淀积：
两个作用：实现杂质源在硅表面的均匀淀积；生长掩蔽氧化层；温度：800~1100C
推进扩散：
主要作用：用高温使预淀积的杂质穿过硅晶格，从而在硅片中形成需要的浓度分布和结深。温度：1000~1250C
激活：
主要作用：使杂质原子与晶格中的硅原子键合，从而使杂质原子移到正常的晶格上，这一过程称为激活。激活比前面的温度再高一些，是扩散的一部分。

扩散，是一种材料通过另一种材料的运动。
扩散的两个必要条件：浓度差，过程所需要的能量。
固态，液态，气态扩散。
属于固态扩散。

硼：P型；
磷，砷和锑：N型