A.高
B.低
C.相等
D.大致相等

A.300〜400℃
B.200〜350℃
C.400〜450℃
D.450〜500℃

A.低温去应力回火
B.高温回火
C.中温回火
D.中温退火

A.540℃
B.500℃
C.400℃
D.350℃

A.500℃
B.400℃
C.300℃
D.200℃

A.可以
B.不可以
C.经过热处理后可
D.在特定情况下可

A.0.01~0.001
B.0.01~0.0003
C.0.001~0.003
D.0.03~0.003

A.掩蔽
B.消除
C.促进
D.增强

A.低碳硅
B.高碳硅
C.中碳硅
D.碳

A.α-硅钼酸
B.β-硅钼酸
C.γ-硅钼酸
D.δ-硅钼酸

A.当在能产生蒸汽膜的介质中淬火时，应很好地搅动冷却介质
B.将水淬火介质改为油淬火介质
C.采用不产生蒸汽膜的有机物水溶性淬火介质
D.进行无氧化、无脱碳加热