A.接到源端
B.接到漏端
C.NMOS管衬底接地，PMOS管衬底接电源
D.NMOS管衬底接电源，PMOS管衬底接地

A.非逻辑
B.与逻辑
C.或逻辑
D.异或逻辑

A.彼此靠近
B.方向一致
C.环境相同
D.加大尺寸

A.DRC
B.ERC
C.LVS
D.SVS

A.GDS II文件
B.实物芯片照片
C.cadence中绘制的版图
D.芯片电路图

A.1倍
B.2倍
C.3倍
D.4倍

A.实现N阱和P阱独立控制
B.更平坦的表面
C.做在阱区内的器件可以减少受到α粒子辐射的影响
D.抑制闩锁效应

A.氮化硅
B.二氧化硅
C.多晶硅
D.单晶硅

A.外延隔离
B.埋层隔离
C.PN结隔离
D.介质隔离