问答题X 纠错
离子注入是将被掺杂的杂质原子或分子进行离子化,经磁场选择和电场加速到一定的能量,形成一定电流密度的离子束流后被直接打进(扫描注入)半导体晶圆内部去。 具有一定动能的离子射进硅片内部后,由于硅片内原子核和电子的不规则作用,以及和硅原子多次的碰撞,而使得注入的离子能量逐渐受到消耗,离子注入速度减慢,在硅片内部移动到一定的距离就停止在硅片内某一位臵上,形成PN结。
你可能喜欢
问答题
•建立浓度差 •杂质扩散至合适的结深 •杂质与硅原子成键
赞题库-搜题找答案
(已有500万+用户使用)
无需下载 立即使用
版权所有©考试资料网(ppkao.com)All Rights Reserved