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判断题

当硅表面处的少子浓度达到或超过体内平衡多子浓度时,称表面发生了强反型。

参考答案:

判断题

​一个增强型P沟道MOSFET,其阈值电压应该小于零。

参考答案:

判断题

电流放大系数与频率成反比,频率每提高一倍,电流放大系数下降一半,功率增益降为四分之一。

参考答案:

判断题

‏减薄p+n突变结的轻掺杂区厚度,不但能减少存储电荷,还能降低反向抽取电流。

参考答案:

判断题

‌反向偏置饱和电流可看成是由中性区内少数载流子的产生而导致的。

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