【简答题】简述低温多晶硅薄膜晶体管特点。

答案：

1）高迁移率；
2）容易p型和n型掺杂；
3）自对准结构；
4）抗光干扰能力强；
5）抗电磁干扰能力强。

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答案：各向同性刻蚀特点是：
1）刻蚀后形成圆弧的轮廓；
2）在光刻胶下面的图形出现侧蚀现象；
3...
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【简答题】举例说明PECVD成膜的使用的气体及反应方程。
答案：
PECVD制备a-Si：H薄膜的，使用的气体是SiH₄、H₂，成膜温度大约为315℃，反应方程为：