多项选择题X 纠错
A.CuB.PC.AgD.Au
你可能喜欢
多项选择题
A.有效栅宽变窄B.电流减少C.电容增加D.电阻增大
A.选择合适的掩蔽膜B.在氧化前,将窗口处的硅腐蚀掉深度,再进行局部氧化C.退火D.高压氧化工艺
单项选择题
A.95度B.90度C.80度D.75度
A.30nmB.10nmC.20nmD.25nm
A.金属离B.微粒C.纯度D.浓度
A.化学物质B.金属离子C.融解的氧气D.细菌
A.注氧隔离法B.智能剥离法C.键合再减薄技术D.以上都是
A.制备硅烷B.硅烷热分解C.精馏D.固体吸附法
A.印刷多层法B.生板叠层法C.磁控溅射法D.厚膜多层法
A.有机物颗粒B.塑料颗粒C.玻璃颗粒D.陶瓷颗粒
赞题库-搜题找答案
(已有500万+用户使用)
无需下载 立即使用
版权所有©考试资料网(ppkao.com)All Rights Reserved