问答题X 纠错

参考答案:

当传导电子浓度很小时(如半导体中),那么可以认为电子填充的各个能级是非简并的,因而电子填充能量为Ei态时服从玻尔兹曼分布。
由于磁性离子除去受外场作用外,基本上可以看成是只有的,故其电子填充的各个能级可以看成非简并的,故其电子填充能量为Ei态时服从玻尔兹曼分布。
在金属中,只有电子的浓度很高,在泡利不相容原理的支配下服从费米分布,电子填充的各个能级是高度简并的,故电子填充能量为Ei态时服从费米分布。

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问答题

论证或举例说明下列断言的对或错。

参考答案:

问答题

硅P-N结的N区施主浓度为1×1015cm-3,τh=1μs;P区受主浓度为6×1017cm-3,τe=5μs;Dh=1.3×10-3m2/s,De=3.5×10-3m2/s,试计算室温下空穴电流与电子电流之比jh/je,饱和电流密度j0以及在正向偏压0.3V时,流过P-N结的电流密度j。

参考答案:

问答题

已知施主浓度为1×1018cm-3,受主浓度为5×1016cm-3,试分别求出锗、硅材料在室温下的接触电势差。

参考答案:

问答题

设空穴的浓度呈线性分布,在3μm内浓度差为1×1015cm-3,迁移率为400cm2/(V·s),试计算室温下的空穴扩散电流密度jh

参考答案:

问答题

在某一N型半导体电子浓度为1×1015cm-3,电子迁移率为1000cm2/(V·s),求其电阻率。

参考答案:

问答题

在一个N型锗样品中,非平衡载流子浓度是1×1013cm-3,空穴寿命为100μs,计算空穴的复合率。

参考答案:

问答题

光照产生的非平衡载流子的寿命为20μs,试求光照突然停止20μs后,非平衡载流子将衰减到原来的百分之几?

参考答案:根据非平衡载流子的寿命定义可知,非平衡载流子的寿命就是非平衡载流子减少到原来的1/e所需要的时间,由此可知当光照突然停止...

问答题

当E-EF分别为1.5kBT,4kBT及10kBT时,分别用费米分布和玻尔兹曼分布计算占据能级各能级的几率。

参考答案:

问答题

已知Si中只含施主杂质ND=1×1015cm-3。现在40K下测得电子浓度为1×1012cm-3,试估算施主杂质的电离能。

参考答案:

问答题

室温下硅的电子和空穴的有效质量分别为m*e=1.08m0和m*h=0.59m0;砷化钾的电子和空穴的有效质量分别为m*em0和m*h=0.5m0(m0是自由电子质量)。在室温下,计算砷化钾的NC,NV和ni(Eg=1.43eV)。

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