电阻R=2Ω的闭合导体回路置于变化磁场中，通过回路包围面的磁通量与时间的关系为，则在t=2s至t=3s的时间内，流过回路导体横截面的感应电荷q_i=（）

高速钢正常淬火，冷却到室温后，还含有大量的残留奥氏体A_R。但是经回火后，再冷却到室温，大部分的A_R会淬火成马氏体M。其原因是因为A_R中的碳和合金元素扩散到碳化物中去了，碳化物是在附近形成的，所以AR中碳和合金元素量降低，提高了相变临界点Ms（>室温），当钢冷却时，提高了Ms的A_R就转变成M了。设：
（1）A_R可近似地认为是厚度为5μm的平面片；
（2）Ms=561-474×%C+合金元素的作用；开始时，奥氏体中的Ms为120℃；
（3）A_R回火前的含C量为0.6%；靠近回火M的A_R处含C量是极低的，可设为0； 
（4）回火工艺：550℃，保温1小时；

试计算A_R中部地区，这种脱C效应将进行到什么程度？然后，估计出Ms提高了多少？

一匝数N=1000的线圈，通过每匝线圈的磁通量，则任意时刻线圈感应电动势的大小（）

在一块厚度为1cm的钢板表面电镀了一层很薄的Ni。问：这块钢板在1200℃时需保温多长时间，才能使钢板中心的Ni含量达到最终完全均匀化含量的一半？
已知：D_Ni（1200℃）=4×10^-11cm²/s

P点到半无限长直载流为I的导线一端距离为a，如图所示。则B_p=（）方向为（）

设扩散微分方程的高斯解为：

S的物理意义是什么？试证明。高斯解适用于什么情况？为什么高斯解中扩散距离的平方平均值是和Einstein处理的一维空间无规行走规律的结果是一致的？

如图所示的电流分布中方向为（）