问答题X 纠错
对颗粒涂布型磁存储材料，假定单畴退磁场能Ed与多畴结构的畴壁能Ew分别可以表示为 1）存在一个临界半径R0，当颗粒半径R>R0时，颗粒为多畴结构；当R0时，颗粒为单畴结构。 2）下图中M-D、S-D以及S-P三个不同颗粒直径范围内矫顽力MHc与颗粒直径d的关系
1）由题中给出的两式可以看出，R值对Ed的影响大于对Ew的影响。在颗粒半径R较大时，为降低Ed，晶体畴结构以多畴形式存在，这时能量最低。当颗粒半径R较小时，其退磁场能降低得很快，甚至可以忽略不计，这样颗粒中主要是畴壁能Ew起作用。这说明如果不形成多畴，以单畴形式出现，能量可以较低。当颗粒半径减小到某一特定值Ro时，将满足Ed=Ew，即
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