A.加宽；
B.不变；
C.变窄；
D.无法判别。

A.用万用表的R×100或R×1000的欧姆，黑棒接正极，红棒接负极，指针偏转；
B.用万用表的R×10K的欧姆，黑棒接正极，红棒接负极，指针偏转；
C.用万用表的R×100或R×1000的欧姆，红棒接正极，黑棒接负极，指针偏转；
D.用万用表的R×10，黑棒接正极，红棒接负极，指针偏转；

A.运用它的反向特性；
B.锗管使用在反向击穿区；
C.硅管使用反向区域，而锗管使用正向区域；
D.都使用正向区域。

A.多数载流子的运动称为漂移；
B.电子与空穴的中和称为复合；
C.多数载流子的运动称为扩散；
D.少数载流子的运动称为漂移；

A.—12V；
B.—6V；
C.+6V；
D.+12V。

A.发射结正偏、集电结反偏；
B.发射结正偏、集电结正偏；
C.发射结反偏、集电结正偏；
D.发射结反偏、集电结反偏。

A.发射结正偏、集电结反偏；
B.发射结正偏、集电结正偏；
C.发射结反偏、集电结正偏；
D.发射结反偏、集电结反偏。

A.发射结正偏、集电结反偏；
B.发射结正偏、集电结正偏；
C.发射结反偏、集电结正偏；
D.发射结反偏、集电结反偏；

A.掺杂的工艺；
B.杂质的浓度；
C.温度；
D.晶体的缺陷。

A.电子；
B.空穴；
C.三价元素；
D.五价元素。

A.给本征半导体加上一定的能量，则价电子就能成为自由电子；
B.给本征半导体不加能量，则价电子也能成为自由电子；
C.给本征半导体加上一定的能量，则价电子也不能成为自由电子；
D.以上所有说法都不正确。