问答题X 纠错

画出用多米诺逻辑实现X=AB+C，Y=XD的电路图，并根据图中的输入，画出X，Y的波形（不考虑延迟）。

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问答题

2级反相器中管子的栅长和栅宽均为4μm，Cox=1fF/μm2，N管和P管工作在饱和区的等效电阻分别为Rn=27.5KΩ和Rp=82.5KΩ，求第一级反相器的下降延迟。

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问答题

求图中电路从A到B的电容值，已知面电容值（fF/μm2）分别为：Cox为0.6，金属与衬底为0.03，多晶硅与衬底为0.045。

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问答题

写出图1和图2电路的逻辑表达式OUT=f（A，B，C，D），并画出电路原理图。

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问答题

画出图中版图的电路原理图。

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问答题

根据下面的版图，求A到B的总电容，已知某工艺的典型面电容值为：Cox为0.6，金属与衬地为0.03，金属与多晶硅为0.045，金属与扩区为0.05，多晶硅与衬地为0.045，面电容的单位为fF/μm2）。

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问答题

一个采用10个CMOS反相器的系统工作在30MHz和5V电源下，试计算每级门的功耗和平均电流，如果金属线的最大电流密度是0.8mA/μm，试求电源和地线的宽度？（假定CMOS反相器的负载电容是0.15pF，PN结的反向漏电流是0.2nA）

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问答题

试画出下图版图的电路原理图。

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问答题

试写出图中W、X、Y、Z的逻辑表达式。

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问答题

试写出图中F1和F2的逻辑表达式。

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问答题

画出下列版图的电路原理图。

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